roy_yang87 发表于 2010-1-31 12:46 只看TA 1楼 |
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固态硬盘新春:Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存 由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片,并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进,每12-15个月便升级一次:成立之初是72nm,2008年是50nm,去年则率先达到了34nm,在业内领先六个月左右,也让Intel提前抢先发布了34nm第二代X25-M固态硬盘,美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49%供给Intel客户、51%供给美光客户。 IMFT 25nm NAND闪存的量产将从今年第二季度开始,下半年开始批量出货,正好赶上Intel预计年底发布的第三代X25-M固态硬盘,容量有160GB、320GB、600GB等。 率先投产的25nm NAND闪存芯片使用了沉浸式光刻技术(对Intel来说是史上第一次),内核面积167平方毫米,容量8GB(64Gb),每单元容量2比特(2-bit-per-cell)。 IMFT 25nm NAND闪存支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2,界面速度最高可达200MB/s,页面(page)尺寸从50/34nm时代的4KB翻番到了8KB,块(Block)尺寸从128个页面加倍到256个页面,这些对性能提升都大有好处,Intel X25-M系列几乎必然能够再次狂飙了(只要固件别再出问题)。 此前的32nm 4GB 2-bpc MLC NAND闪存芯片面积为172平方毫米,也就是说工艺升级后容量翻了一番,尺寸却减小了9.7%。 其实去年IMFT还宣布了34nm工艺的3-bpc MLC NAND闪存计划,容量同为4GB,核心面积则只有126平方毫米。这种芯片只适合廉价或者对寿命要求不那么严格的产品,比如U盘,在固态硬盘上无论性能还是可靠性都不值得。 虽然半导体工艺日益复杂,但IMFT对未来充满信心,已经瞄准了10nm工艺,相当于只有大约20个原子并排的宽度,还在考虑电荷陷阱型存储(CTM)技术(取代现有的浮动栅极技术)和3D垂直堆叠技术。 按照12-15个月的升级周期,IMFT的下一代新工艺应该会在2011年年中诞生,2012年初投入实用,也许那时候固态硬盘将真正迎来主流地位。 |
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orderfoxsurf 发表于 2010-1-31 13:42 只看TA 2楼 |
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什么叫高科技,这就是,真希望国内什么时候也能创造一点真正的高科技出来 |
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